东芝计划年内投资1.5亿美元试产25nm及以下级别制程NAND闪存芯片

dryiceboy发布于 2010-04-06 22:28:18| 次阅读 字体：大 小 打印预览 分享至新浪微博 转贴到开心网 分享到校内人人网 添加到Google书签

cnBeta 硬件新闻

PC Mag报道称东芝公司承诺今年将投资1.598亿美元筹建用于试生产25nm及以下级别制程的NAND闪存芯片的生产线。东芝希望这款产品能够于2012 年初开始量产。东芝公司将在其位于四日市的NAND闪存主力厂内安装这套生产线，报道并指东芝该产线需要将光刻设备升级为EUV系统才能满足25nm级别 制程的需求。

有关东芝筹建25nm制程NAND闪存产线的详细信息可点击这个链接了解。

CNBeta编译
原文：dvhardware


   

3


　

对本文中的事件或人物打分
  • Currently.0.00/5
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

当前平均分: 打分后显示

-5-4-3-2-1012345
对本篇资讯报道的质量打分

当前平均分:打分后显示

-5-4-3-2-1012345
现在评论本文
热门评论