韩国Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3内存芯片产品通过了Intel的认证，Hynix并称将开始批量生产这种芯片产品，另外他们还宣称面向服务器应用的Registered DIMM产品的验证工作也将于年底前顺利完成。

这次通过验证的Hynix产品有2Gb DDR3 SDRAM内存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(笔记本内存条)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型内存条)，验证时的运行频率为1333MHz，芯片电压为1.5V。

Hynix宣称其40nm制程2Gb DDR3内存芯片的产出量比50nm制程技术提升了60%左右。并称40nm制程的产品耗电量比50nm制程产品可下降40%，比业内通用的耗电标准低两倍。

Hynix公司的CMO JB Kim表示：“在高性能服务器市场，目前的主流已经迅速由原来的1Gb密度芯片转为2Gb密度芯片，我们将为业界提供性能最好的1Gb/2Gb内存产品。”

CNBeta编译
原文：digitimes

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