三星制定DRAM发展蓝图 15纳米是制程微缩极限

2017年04月18日 16:47 次阅读 稿源:OFweek电子工程网 条评论

三星电子为了巩固存储器霸业,制定 DRAM 发展蓝图,擘划制程微缩进度。业界预估,15 纳米可能是 DRAM 制程微缩的极限,担忧三星遭中国业者追上。韩媒 etnews 18 日报导,业界消息称,三星去年开始量产 18 纳米 DRAM,目前正研发 17 纳米 DRAM,预定今年底完成开发、明年量产。

与此同时,三星也成立 16 纳米 DRAM 开发小组,目标最快 2020 年量产。相关人士透露,微缩难度高,2020 年量产时间可能延后。

三星从 20 纳米制程(28→25→20),转进 10 纳米制程(18→17),缩小线宽(Line-width)的速度明显放缓。三星尚未成立 15 纳米制程以下的研发团队,因为由此开始,电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显,需要开发新的材质。

三星设备解决方案部门的半导体实验室人员 Jung Eun-seung 说,为了继续缩小线宽,必须开发与当前不同的新材质,并提高制程稳定性,以便进入量产。业界人士估计,15 纳米或许是制程微缩的极限,未来三星可能难以透过制程微缩拉大与对手差距,并担忧中国业者急起直追,赶上三星。

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