100万次擦写 三星首创45nm嵌入式闪存

2013年05月18日 12:36 次阅读 稿源:驱动之家 条评论
三星电子近日宣布,正在开发全球首款采用45nm工艺的嵌入式闪存eFlash,并且已经成功在智能卡测试芯片上部署了新工艺,为量产和商用打下了坚实基础。三星宣称,基于其45nm eFlash的智能卡电路具备极高的可靠性、耐久性,每个闪存存储单元都可以确保100万次的擦写循环,是市面上其他方案50万次的两倍,因此性能也是极为出色的。

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而通过对闪存单元架构、操作机制的双重改进,测试芯片的随机访问性能、能耗相比于上代80nm eFlash分别提升了50%、25%。

三星计划在2014年下半年出货基于45nm eFlash的智能卡电路的样品。除此之外,这种嵌入式闪存还可用于NFC、eSE(嵌入式安全设备)、TPM(可信赖平台模块)等领域。

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