博世研发碳化硅半导体 力图降低电动汽车当中电子设备发热量

2019年10月09日 01:36 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

更好的电池技术并不是扩大电动汽车续航力的唯一方法,芯片材料的重组可能使续航里程增长6%。博世计划从2020年开始生产碳化硅半导体,提供利用更高效的电导率,来减少电动汽车和混合动力汽车中的电力电子设备在道路上浪费的电力。

博世表示,消费者很容易将电动汽车行驶距简单化,并认为这一切都取决于携带的电池组有多大。然而,在现实世界中,拥有同样大小电池的汽车可能有非常不同的行驶距离。电源管理是影响行驶距离最重要因素之一,尤其是电池中存储的电能如何有效传输到电机。该过程最浪费的副作用之一是发热。电池,负责功率控制和传输的电子设备以及电动机本身都将一些能量转化为热量,而不是行驶里程。

博世研发的一种新型的碳化硅(SiC)半导体设计,导电性好于现有芯片,这要归功于其制造过程中包含了更多的碳原子。这意味着电子器件可以实现更高的开关频率,同时还可以减少热量形式的功耗。博世声称,这种芯片将能源转化为热量的问题减少50%。

该公司表示,在电动汽车中使用相同大小的电池时,使用碳化硅半导体的电动汽车行驶距离可以再提高6%。例如,在额定250英里的电动车辆中,使用碳化硅半导体的电动汽车行驶距离将增加15英里。

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