紫光集团展示8Gb DDR4内存芯片及晶圆 还有128层QLC 3D NAND

2020年08月16日 01:21 次阅读 稿源:芯智讯 条评论

8月14日,在第八届中国电子信息博览会(CITE 2020)上,紫光集团携旗下各子公司展示了一系列新产品,包括西安紫光国芯的8Gb DDR4内存芯片和晶圆,长江存储的128层QLC 3D NAND,新华三半导体的EasyCore,紫光展锐的一系列智能手机和物联网芯片等。

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西安紫光国芯展示DDR4芯片及晶圆

众所周知,长鑫存储是国内最早成功量产DDR4/LPDD4内存芯片的国产DRAM厂商。不过,除了长鑫存储之外,紫光集团也在DRAM芯片领域布局已久。

早在2015年,紫光集团就已经开始布局DRAM,延揽前南亚科总经理高启全加入紫光集团就是布局的开始,在高启全加入紫光集团的同时,紫光国微(原同方国芯)收购了任奇伟团队所创办的公司(现在的西安紫光国芯),任奇伟团队的前身是奇梦达公司的西安研发中心,任奇伟团队一直从事DRAM的研发工作,团队人数约500人。也就是说,紫光集团的DRAM技术来源也是奇梦达。

2018年10月,紫光国微将西安紫光国芯100%股权以2.2亿元转让给控股股东紫光集团的下属全资子公司北京紫光存储科技有限公司(“紫光存储”)。从之前紫光国微年报披露情况看,该团队的DRAM产品销售收入每年约在5~6亿人民币之间,其产品自行设计,在境外代工。

2019年11月,紫光国芯在接受媒体采访时对外透露,其自主设计的DDR4内存颗粒预计在2020年Q1开始实现量产。

在此次的CITE 2020展会上,紫光集团展台上展示了西安紫光国芯开发的8Gb DDR4内存芯片及晶圆。

据介绍,西安紫光国芯的8Gb DDR4内存颗粒单芯片最高带宽为10.4GB/S,支持TSV封装可扩展到16Gb容量,内嵌ECC自纠错功能保护,是业界首款支持X32 IO规格并兼容JEDEC的DDR4芯片。

在展会现场,西安紫光国芯还展示了过往的一系列的内存芯片产品和模组产品。

需要指出的是,目前西安紫光国芯的DDR4芯片的生产应该还是在境外代工,不过,未来西安紫光国芯的DRAM芯片生产可能会放在紫光在重庆的DRAM芯片工厂生产。

2019年6月30日,紫光集团就曾发布公告称,决定组建紫光集团DRAM事业群,全力加速发展国产内存。随后,在2019年8月底,紫光集团又跟重庆市政府签署投资协议,宣布在重庆建设DRAM事业群总部及内存芯片工厂,计划2019年底动工,2021年正式量产内存。

2019年11月15日,拥有着30余年DRAM行业从业经验的前尔必达CEO坂本幸雄(Yukio Sakamoto)加盟紫光集团,担任紫光集团高级副总裁兼日本分公司CEO,负责拓展紫光在日本市场的业务。从坂本幸雄过往的履历来看,紫光集团引入坂本幸雄一个重要原因就是为了加速发展其DRAM业务。

几个月前,有消息称,紫光计划 10 年内投资人民币 8000 亿元于 DRAM 业务,而紫光集团的重庆DRAM工厂预计 2022 年实现量产。

长江存储展示128层QLC 3D NAND

今年4月,长江存储正式发布了业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,型号为X2-6070。据介绍,X2-6070基于Xtacking 2.0架构,拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。

同时,长江存储还发布了128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片,型号为X2-9060,单颗容量512Gb(64GB),以满足不同应用场景的需求。

性能方面,长江存储此前透露,两款产品拥有1.6Gbps的I/O读写性能,其中3D QLC单颗容量高达1.33Tb,是上一代64层的5.33倍。

在此次的CITE2020展会上,长江存储首次公开展示了其最新的128层QLC 3D NAND。

根据展会上的资料显示,长江存储的128层QLC闪存已经在多家控制器厂商、SSD等终端存储产品上通过验证。

新华三半导体展示首款高端路由器核心芯片

紫光集团旗下的新华三集团于2019年成立了半导体子公司——新华三半导体技术有限公司,聚焦于新一代高端路由器芯片的自主研发。

今年6月,新华三半导体宣布,成功研发了旗下首款高端路由核心芯片EasyCore。在此次CITE2020展会上,新华三半导体首次展示了这款芯片。

据介绍,该芯片采用16nm工艺制造,集成了CPU core、高速SerDes、400G以太网以及高速Interlaken等核心IP,目前该芯片已完成测试验证,将于今年内完成流片投产,预计2021年上半年面市发布搭载自研核心网络处理器芯片的高端路由器产品。

紫光展锐

在紫光集团的展台上,紫光展锐也展示了旗下的一系列智能手机芯片、5G芯片春藤V510和多款物联网芯片。其中,比较新的就是去年11月推出的Cat.1 bis芯片春藤8910DM。在今年Cat.1市场火爆的情况之下,春藤8910DM备受关注。

资料显示,紫光展锐春藤8910DM采用28nm成熟工艺,支持LTE Cat.1bis和GSM双模,上行速率达5Mbps,下行速率达10Mbps,并拥有高集成度,同时集成了蓝牙通讯和Wi-Fi室内定位,可实现更稳定的连接,支持VoLTE,同时通过系统优化设计,使得春藤8910DM可实现显著的低功耗优势。

紫光集团的展台上,也展示了三款基于春藤8910DM的Cat.1模组:有方N58、广和通L610和中国移动ML302。

此外,还有中国联通不久前推出了基于展锐春藤V510的5G CPE。

△紫光展锐手机芯片、无线连接芯片、物联网/RFFE芯片,紫光国微的安全芯片、超级SIM卡、紫光同创的FPGA,紫光联盛的微连接器都有在现场展示。

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