[图]ARM和DARPA签署三年合作协议 以维持美国芯片设计领先地位

2020年08月21日 14:59 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

英国芯片设计公司 ARM 昨天宣布,它已经和美国国防高级研究计划局(DARPA)签订了为期三年的合作协议,这一进展与美国最近将半导体制造引入其国内的努力相一致。在宣布这一消息的同时,该机构结束了与电子复兴计划(ERI)相关的活动,该计划的重点是减少对国际制造的半导体的依赖。

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根据合作关系,ARM 公司的所有商业芯片设计架构和知识产权都可用于 DARPA 项目。二者还将在依靠低功耗使用的传感器等工作上进行合作,以实现持续监测。在昨天召开的 ERI 峰会上,ARM 首席执行官 Simon Segars 重点讨论了物联网(IoT)范畴的设备,以及这些设备与下一代 5G 网络的连接。

ERI是一个有两年历史的项目,它是在政府关注芯片设计和创新资源向国外转移之后设立的,它的目的是将产业界和学术界的合作伙伴聚集在一起,促进微电子产业的四个关键领域。这些领域包括开发用于芯片制造的新材料、通过通硅孔垂直整合多个器件、创建芯片的定制应用以及确保芯片安全和设计的最新知识。

ARM 和 DARPA 还针对属于近零功率射频和传感器操作(N-Zero)计划的传感器进行合作。通过该计划,ARM 将为 1000 名 DARPA 员工提供访问其知识产权的机会。N-Zero 计划专门用于军事用途的产品,它的目标是开发能够在低功耗状态下检测光、声音和运动并长期保持休眠状态的传感器。

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