149亿元增资长鑫存储母公司 明年四季度DRAM投片量将超南亚科技

2020年11月12日 23:45 次阅读 稿源:芯智讯 条评论

11月11日晚间,兆易创新发布公告,宣布已与合肥市产业投资控股(集团)有限公司(以下简称“合肥产投”)、睿力集成电路有限公司(以下简称“睿力集成”)共同签署《<可转股债权投资协议>的补充协议》,就兆易创以可转股债权方式向合肥长鑫集成电路有限责任公司(以下简称“长鑫集成”)提供本金金额为3亿元的可转股借款事宜进行补充约定。

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根据该补充约定,兆易创新现拟出资3亿元人民币,与长鑫集成、合肥石溪集电企业管理合伙企业(有限合伙)(以下简称“石溪集电”)、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司(以 下简称“大基金二期”)、安徽省三重一创产业发展基金有限公司(以下简称“三重一创”)等多名投资人签署《关于睿力集成电路有限公司之增资协议》(以下简称“增 资协议”)、《关于睿力集成电路有限公司之股东协议》(以下简称“股东协议”),共同参与睿力集成增资事项,以完成《可转股债权投资协议》中约定的转股投资事项。

增资之前,睿力集成的注册资本总额为189亿元,其实缴注册资本为189亿元。其中,石溪集电出资130.44亿元,持股比例为69.01%;长鑫集成出资58.56亿元,持股比例为30.99%。

此次增资完成后,兆易创新将持有睿力集成约 0.85%股权。根据兆易创新公告曝光的其他机构对于睿力集成的增资情况显示,而除了兆易创新之外,大基金二期和安徽三重一创基金分别出资47.6亿元,参与睿力集成此次的增资,持股比例均为14.08%。

另外,长鑫集成也增资了8.08亿元,持股比例为19.72%;合肥集鑫企业管理合伙企业(有限合伙)出资约4.76亿元,持股比例为1.41%;其他“跟进投资人”出资约38.08亿元,持股比例为11.27%。

总的来看,仅本轮增资,睿力集成一共完成了约148.99亿元的增资,增资完成后,睿力集成获得的股东的总出资额已累计到达337.99亿元!

据了解,睿力集成主要从事集成电路及相关产品的生产、研发、设计、销售等业务。国产DRAM厂商长鑫存储技术有限公司(以下简称“长鑫存储”)为睿力集成旗下仅有的一家全资子公司。

目前长鑫存储也是国内唯一量产的国产DRAM内存厂商。显然,此次大基金二期及兆易创新等投资人近150亿元增资睿力集成,将进一步加速国产DRAM的发展。

值得一提的是,目前,兆易创新董事长朱一明同时也是长鑫存储的董事长。同时,朱一明先生控制合肥石溪长鑫企业管理合伙企业(有限合伙)(即石溪集电的执行事务合伙人,以下简 称“石溪长鑫”)。在本次增资前,石溪集电持股标的公司睿力集成 69.01%。

根据公告显示,本公告日前 12 个月内,兆易创新从长鑫存储采购的 DRAM 产品价值约 17,955.58 万元,双方产品联合开发平台合作产品价值约 1,966.68 万元。

长鑫存储明年四季度将超南亚科技,17nm内存明年问世

根据TrendForce公布的2020年二季度全球DRAM内存芯片市场数据显示,三星、SK海力士、美光这前三家DRAM大厂占据了全球市场94.6%的份额。排名第四的则是南亚科技,市场份额仅3.2%,其他的厂商份额均不到1%。

显然,在DRAM内存芯片市场,头部的三家大厂已经形成了强势的垄断地位,留给其他厂商的空间非常小。不过,在国产DRAM芯片厂商的努力之下,依托于国内庞大的市场需求,国产DRAM芯片的市场份额也在快速提升。

在11月12日由集邦咨询(TrendForce)主办的MTS2021存储产业趋势峰会上,TrendForce公布了2020-2021年全球内存厂商晶圆投片量的预估数据。

根据该数据显示,自去年四季度长鑫存储的DRAM芯片成功量产之后,其晶圆的投片量持续增长,今年一季度投片量虽然只有1万片/月,但是随着长鑫存储的DRAM产品在客户端的进一步拓展,其产能也在持续扩张,到今年四季度其投片量已经快速提升到了4.5万片/月。

而根据TrendForce的预测,到2021年四季度,长鑫存储的投片量将达到8.5万片/月,届时将成功超越目前排名第四的南亚科技(7.1万片/月),成为仅次于三星、SK海力士、美光的全球第四大DRAM芯片厂商。

当然,所谓的第四名,实际上并没有太大的意义,因为与前三名的投片量相比差距巨大。即使第三名的美光,其明年四季度的投片量也高达35.5万片/月,是预测中的长鑫存储的8.5万片/月的投片量的约4.18倍。

这样巨大的差距也并不是短期内能够追上的,此外在DRAM技术上,长鑫存储与前三厂商也存在着较大的差距。

资料显示,目前长鑫量产的主要是19nm工艺的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片,获得了威刚科技、江波龙FORESEE等存储品牌厂商的采用。

不过,在DRAM技术上,长鑫存储相比三星等一线DRAM厂商的技术要落后2-3年时间,所以快速提升技术水平也是长鑫存储在DRAM市场站稳脚跟的关键。

根据今年7月初,安徽省发布的《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件显示,希望2-3年内解决一些关键技术瓶颈,其中在内存技术方面,要求推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发,要面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求,研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化,依托DRAM 17nm及以下工艺,攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源(电压)技术、片内纠错编码(On-Die ECC)技术,完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。

而目前国内已经实现量产的DRAM内存芯片的国产厂商只有长鑫存储,而且长鑫存储也正是位于安徽省会合肥的企业,显然,这份文件上所提出的内存技术攻关要求,也正是针对长鑫存储提出的。

另外根据此前的规划也显示,长鑫存储将在2021年完成17nm DRAM的技术研发。

之前曝光的长鑫存储的路线图也显示,接下来长鑫存储将会推出基于10G3工艺的DDR4/LPDDR4x和DDR5/LPDDR5,还将推出基于10G5工艺的DDR5/LPDDR5以及GDDR6。这里的10G3工艺应该指的就是17nm工艺。

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