2020年Intel TOP3技术创新:10nm工艺位列第二

2020年12月18日 17:41 次阅读 稿源:快科技 条评论

2020年还有不到2周就过完了,年底又是一个回顾总结的季节了,Intel公司在这一年中有什么技术创新呢?芯片业内人士给点评了一下,10nm SuperFin工艺位列第二。推出这个评选的是推特用户Witeken,他不仅经常爆料AMD/Intel最新信息,也是芯片行业的专业人士,评选的主要是芯片技术层面的,很专业。

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根据他的选择,2020年Intel第一大技术创新是Lakefield处理器上的Foveros 3D堆栈,这是一种新的3D封装技术,可以把不通工艺的IP核心封装在一起,Lakefield的5核心就是1个大4小,分别使用了10nm、22nm工艺的。

第二个创新是Tiger Lake上首发的10nm SuperFin工艺,这也是今年Intel在CPU工艺上最重要的一次进步,使用了全新的Super MIM器件,号称实现了单节点内最大的性能提升,超过15%。

虽然很多人看工艺数字都觉得Intel的10nm SF工艺不如台积电7nm、5nm先进,但是别忘了,Intel在半导体技术上的根底还在,10nm工艺的创新确实不少。

第三大创新就是硅基光电子,带宽是PCIe 6.0的6倍,这也是Intel布局未来半导体技术的一个重点领域,光电子技术也很领先,只是现在还没大规模商业化。

其他还有3条新技术,分别涉及低温工艺、A,MX指令集及Statix 10 NX FPGA芯片等,相比前面三条更加专业。

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