外媒:台积电三星3nm制程工艺研发均遭遇挑战 可能推迟

2021年01月03日 18:25 次阅读 稿源:TechWeb 条评论

台积电和三星这两大芯片代工商的制程工艺,均已提升到了5nm,更先进的3nm也在按计划推进中,台积电3nm工艺的芯片生产工厂更是已经建成,计划在今年风险试产,明年下半年大规模量产。但产业链方面最新的消息显示,台积电和三星3nm制程工艺的研发均遇到了挑战,遇到了不同的关键技术瓶颈,研发进度也不得不推迟。

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台积电CEO魏哲家此前在财报分析师电话会议上透露的消息显示,他们的3nm工艺仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET)。而三星的3nm工艺则由不同,外媒称他们将采用环绕栅极晶体管技术(GAA)。

目前还不清楚台积电和三星3nm工艺研发过程中遇到的关键瓶颈,会对研发进程造成多大的影响,是否会影响到最终的量产时间也还不得而知。

对于台积电的3nm工艺,外媒此前在报道中称他们准备了4波产能,首波产能中的大部分将留给多年的大客户苹果,后三波产能将被高通、英特尔、赛灵思、英伟达、AMD等厂商预订。

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