美光全球首创1αnm内存工艺:LPDDR5容量密度大涨40%

2021年01月27日 16:31 次阅读 稿源:快科技 条评论

美光今天宣布,已经开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM内存芯片,这也是迄今为止最先进的DRAM工艺,可明显提升容量密度、性能并降低功耗。不同于CPU、GPU等新品,DRAM内存、NAND闪存的工艺节点都不使用明确的数字,而是1x、1y、1z、1α等等,越往后越先进,或者说1xnm比较接近20nm,1αnm则更接近10nm。

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美光的1αnm DRAM工艺可适用于各种不同的内存芯片,尤其适用于最新旗舰手机标配的LPDDR5,相比于1z工艺可以将容量密度增加多达40%,同时还能让功耗降低15%,能让5G手机性能更好、机身更轻薄、续航更持久。

DDR4、LPDDR4甚至是未来的DDR5,同样都能使用这种新工艺,并支持智能手机、笔记本、台式机、服务器、嵌入式等各种应用设备。

美光台湾晶圆厂已经开始量产并出货1αnm DRAM内存芯片,首批是DDR4内存条,隶属于Crucial英睿达品牌,还在试产和评估LPDDR4,后续会用于更多内存类型。

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