继台积电和三星之后 格芯宣布和美国军方合作提供国防军用芯片

2021年02月17日 08:16 次阅读 稿源:快科技 条评论

近日,全球第四大晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries)宣布,将和美国国防部合作,从2023年开始在美国纽约Fab 8厂区生产国防军用芯片。这是继台积电和三星之后,第三家与美国国防部进行合作的晶圆代工厂。

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格芯指出,该公司过去和美国国防部合作已久,包含在旗下美国佛州Fab 9与纽约的Fab 10生产其他地面设施所需芯片,此次合作协议扩及至国防、航太与其他敏感应用芯片所需。

早在2020年5月,台积电2020年就和美国联邦政府及亚利桑那州共同宣布,将在美国设立第二个生产基地,今年动工后,目标2024年开始量产,2021年至2029年专案投资120亿美元,目标该厂5奈米制程的月产能为2万片12吋晶圆。台积电此举据传是为了是配合美国客户在当地国防工业芯片的在地制造需求。

三星紧随其后,于2020年底也向德州提出申请奥斯汀十年期投资约170亿美元,用于扩建芯片制造基地。依据三星向德州提出的文件资讯显示, 新工厂会采用5nm制程工艺,终端应用是国防相关伺服器所需芯片生产。

依据美国国防部声明,与格芯的协议是最近参议院多数党支持的《美国CHIPS法案》的初步进展,该法案主要是支持与加强美国国防供应链半导体芯片的制造能力。

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