台积电3nm工艺进度超前 EUV工艺获突破:直奔1nm

2021年02月19日 14:31 次阅读 稿源:快科技 条评论

在ISSCC 2021国际固态电路会议上,台积电联席CEO刘德音公布了该公司的最新工艺进展情况,指出3nm工艺超过预期,进度将会提前。不过刘德音没有公布3nm工艺到底如何超前的,按照他们公布的信息,3nm工艺是今年下半年试产,2022年正式量产。

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三星在3nm节点激进选择GAA环绕栅极晶体管工艺不同,台积电的第一代3nm工艺比较保守,依然使用FinFET晶体管。

与5nm工艺相比,台积电3nm工艺的晶体管密度提升70%,速度提升11%,或者功耗降低27%。

不论是5nm还是3nm工艺,甚至未来的2nm工艺,台积电表示EUV光刻机的重要性越来越高,但是产能依然是EUV光刻的难题,而且能耗也很高。

刘德音提到,台积电已经EUV光源技术获得突破,功率可达350W,不仅能支持5nm工艺,甚至未来可以用于1nm工艺。

按照台积电提出的路线图,他们认为半导体工艺也会继续遵守摩尔定律,2年升级一代新工艺,而10年则会有一次大的技术升级。

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