SK海力士:NAND闪存将堆叠超过600层

2021年03月24日 22:27 次阅读 稿源:快科技 条评论

存储大厂SK海力士的CEO李锡熙(Seok-Hee Lee)近日在IEEE国际可靠性物理研讨会上发表主题演讲,分享了在闪存、内存未来发展方面的一些规划和展望。3D NAND闪存方面,如今行业的发展重点不是更先进的工艺,也不是QLC、PLC,而是堆叠层数的不断增加,SK海力士就已经做到了176层。

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SK海力士此前认为,3D闪存的堆叠层数极限是500层,不过现在更加乐观,认为在不远的将来就能做到600层。

当然,为了做到这一点,需要在技术方面进行诸多创新和突破,比如SK海力士提出了原子层沉积(ALD)技术,进一步强化闪存单元属性,可以更高效地存储、释放电荷,并且在堆叠层数大大增加后依然保持电荷一致性。

为了解决薄膜应力(film stress)问题,SK海力士引入了新的氮氧化物材料

为了解决堆叠层数增加后存储单元之间的干扰、电荷丢失问题,SK海力士开发了独立的电荷阱氮化物(CTN)结构,以增强可靠性。

另外针对DRAM内存发展,SK海力士在考虑引入EUV极紫外光刻,可将工艺制程推进到10nm以下。

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