三星电子周四宣布了新一代存储芯片计划，其内存速度将在现有技术的基础上提高一倍，并提供迄今为止最大的容量，从而开启了一场将加速数据中心和超级计算发展的转型。作为全球最大存储芯片制造商，三星表示，已开发了512GB双倍数据速率5（DDR5）内存模块，基于传统上用于逻辑芯片的HKMG制造工艺。
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DDR5的内存速度将是目前DDR4的两倍，同时减少泄漏，并减少13%的功耗。三星表示，预计将在今年下半年开始向DDR5的过渡。
芯片行业一直期待英特尔即将推出代号为Sapphire Rapids的Xeon可扩展处理器将采用新的内存标准，并对其提供支持。
三星表示，除了与两家主要的CPU供应商英特尔及和AMD合作，三星还向数据中心平台的开发者发送了新内存样品。
分析师估计，DDR5芯片将比DDR4芯片大20%左右，这将加大半导体供应链的压力。
三星打算今年开始出货，并逐步改进其制造工艺（扩大极端紫外线光刻技术的使用）和定价。该公司表示，DDR5取代DDR4预计将在2023年下半年发生。
