台积电2nm工艺进入研发阶段:升级GAA晶体管、改进EUV效率

2021年04月19日 16:50 次阅读 稿源:快科技 条评论

做为全球最大最先进的晶圆代工厂,台积电在7nm、5nm节点上领先三星等对手,明年面还会量产3nm工艺,接下来则是2nm工艺。台积电计划未来三年投资1000亿美元,其中先进工艺花费的资金最多,2nm工艺也是前所未有的新工艺,台积电去年称2nm工艺取得了重大进展,进度比预期的要好。

实际上台积电的2nm工艺没有宣传的那么夸张,此前只是技术探索阶段,寻找到了可行的技术路径。

现在2nm工艺才算是进入了研发阶段,重点转向了测试载具设计、光罩制作及硅试产等方向。

根据台积电的说法,2nm工艺节点上,他们也会放弃FinFET晶体管结构,转向GAA环绕栅极结构,此前三星更为激进,在3nm节点就会弃用GAA晶体管,不过这两家的GAA晶体管结构也不会一样,孰优孰劣还没定论。

在2nm节点,光刻工艺更加重要,EUV光刻是少不了的,但此前的EUV工艺还存在不少问题,台积电的2nm节点也会重点改进EUV工艺,提高光刻中的质量及效率。

至于量产时间,台积电的2nm工厂现在还在起步阶段,此前消息称是2023年试产2nm工艺,2024年量产。

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