[多图]IBM宣布已经制造出全球首颗2nm EUV芯片

2021年05月06日 19:02 次阅读 稿源:快科技 条评论

蓝色巨人出手就是王炸。5月6日消息,IBM宣布造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片。核心指标方面,IBM称该2nm芯片的晶体管密度(MTr/mm2,每平方毫米多少百万颗晶体管)为333.33,几乎是台积电5nm的两倍,也比外界预估台积电3nm工艺的292.21 MTr/mm2要高。

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2nm晶圆近照

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换言之,在150平方毫米也就是指甲盖大小面积内,就能容纳500亿颗晶体管。

同时,IBM表示,在同样的电力消耗下,其性能比当前7nm高出45%,输出同样性能则减少75%的功耗。

实际上,IBM此前也是率先造出7nm(2015年)和5nm(2017年)芯片的厂商,在电压等指标的定义上很早就拿下主导权。

回到此次的2nm上,采用的是GAA(环绕栅极晶体管)技术,三层。IBM介绍,这是第一次使用底介电隔离通道,它可以实现12 nm的栅长,其内部间隔是第二代干法设计,有助于纳米片的开发。这也是第一次使用EUV曝光FEOL部分过程。

Row of 2 nm nanosheet devices.png

需要注意的是,IBM并没有自己的晶圆厂,2014年其制造工厂卖给了格芯,但两者签署了10年合作协议,另外,IBM也和三星、Intel保持合作。

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关于GAA晶体管技术,三星3nm、Intel 5nm以及台积电2nm均将首次采用。

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