AMD介绍“Zen 3+”与3D垂直缓存技术:有望提升15%游戏性能

2021年06月01日 15:05 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

在今天的台北电脑展(Computex 2021)主题演讲期间,AMD CEO 苏姿丰博士详细介绍了近期多次爆料过的所谓“Zen 3+”CPU 架构。虽然没有明确提及“Zen 3+”的名称,但她还是透露 AMD 与台积电合作开发了全新的 3D 芯片堆叠技术 —— 在结构硅衬底的基础上,运用了 TSV 硅通孔技术。

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TechPowerUp 指出,AMD 在“Zen 3”CCD 模组的 64MB L3 缓存顶上设置了 64MB 的 SRAM 高速缓存,并将之称作 3D Vertical Cache 三维垂直缓存。

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虽然不知道具体缓存的层次结构有怎样的改变,但这样新颖的理念还是让我们对其性能表现充满了好奇。

比如 64MB 附加缓存是否与片上 L3 缓存相邻,或者作为 L3 / L4 级缓存的一部分。

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官方声称 3D 垂直缓存技术可将平均游戏性能提升 15%,凭借类似于代际升级的性能改良,AMD 有望在 Zen 4 到来之前,与英特尔 Rocket Lake-S 竞品“争锋相对”。

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预计首批采用 3D 垂直缓存技术的 AMD 处理器将于 2021 年底开始到货,意味着它很可能就是传说中的锐龙 6000 系列台式处理器。而基于 5nm Zen 4 架构的锐龙 7000 系列,则定于 2022 年与大家见面。

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至于 AMD 新 CPU 的终端发布计划,目前暂不得而知。此外在 Computex 2021 的主题演讲体验,AMD CEO 更多地还是展示了 Socket AM4 接口的产品。

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最后,如果基于 AM5(LGA 1718)新接口的处理器能够在今年晚些时候到来,那 Zen 3+ / 3D 垂直缓存技术还是有望通过 IO 小芯片的更新,带来对 AM5 接口 / DDR5 内存的支持的。

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