[图]三星完成8nm射频技术开发:面积减少35%下功率增加35%

2021年06月09日 14:01 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

世界先进半导体技术的领导者三星电子有限公司今天宣布完成了基于 8 纳米生产工艺的射频(RF) 技术的开发。这项尖端的代工技术有望提供“一个芯片解决方案”,尤其是通过支持多通道和多天线芯片设计增强 5G 网络通信。这项 8 纳米射频平台的推出将会进一步巩固三星在 5G 半导体市场的领导地位。

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三星的 8 纳米射频工艺技术是对已广泛应用的射频相关解决方案组合(包括 28 纳米和 14 纳米的射频)的最新补充。自2017年以来,该公司通过为高端智能手机出货超过5亿颗移动射频芯片,确立了其在射频市场的领先地位。

三星电子代工技术开发团队主管 Hyung Jin Lee 表示:“通过卓越的创新和工艺制造,我们已经加强了我们的下一代无线通信产品。随着 5G mmWave 的扩大,三星的 8 纳米射频将成为在紧凑型移动设备上寻求长电池寿命和出色信号质量的客户的绝佳解决方案”。

随着持续扩展到先进节点,数字电路在性能、功耗和面积(PPA)方面有了明显的改善,而模拟/射频块却没有享受到这样的改善,原因是退行性组件,如窄线宽带来的电阻增加。因此,大多数通信芯片往往看到射频特性的退化,如接收频率的放大性能恶化和功耗增加。

为了克服模拟/射频扩展的挑战,三星开发了一种 8 纳米射频专用的独特架构,名为 RFextremeFET(RFeFET),可以在使用更少的功率的同时显著改善射频特性。与 14 纳米射频相比,三星的 RFeFET 补充了数字 PPA 的扩展,同时恢复了模拟/射频的扩展,从而实现了高性能5G平台。

三星的工艺优化最大限度地提高了通道流动性,同时最大限度地减少了寄生效应。由于RFeFET的性能得到极大改善,射频芯片的晶体管总数和模拟/射频块的面积可以减少。

与14纳米的射频技术相比,由于RFeFET架构的创新,三星的8纳米射频工艺技术在射频芯片面积减少35%的情况下,功率效率最高可提高 35%。

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