西数发布新一代UFS 3.1闪存:最大512GB、写入1.55GB/s

2021年07月02日 20:26 次阅读 稿源:快科技 条评论

西数日前发布了新一代UFS 3.1闪存——iNAND MC EU551系列,主要针对最新的5G手机,最大容量512GB,写入速度可达1550MB/s。IDC预计2021年5G手机将占全球出货量的40%,2025年进一步提升到69%的比例,随着网络速度的提升,5G手机对存储容量、性能的要求也会提高,特别是VR/AR、游戏及8K视频等应用的普及。

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西数推出的iNAND MC EU551是他们的第二代UFS 3.1闪存,采用了最新的闪存,专为5G旗舰手机、平板设计,支持UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lanee,支持rite Booster 和 Host Performance Booster 2.0,写入速度可达1550MB/s,性能与桌面NVMe硬盘有得一拼了。

容量方面,iNAND MC EU551系列有128、256及512GB三种,预计今年7月份开始上市,下半年的5G旗舰有望搭载,不过售价没公布。

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