台积电2nm工厂2024年量产 与三星、Intel决战GAA晶体管技术

2021年08月02日 16:28 次阅读 稿源:快科技 条评论

前几天Intel发布了最新的CPU工艺路线图,瞄准2024年的20A工艺也首次亮相,会使用GAA晶体管工艺,Intel推出了RibbonFET及PowerVia两项革命性技术。接下来是Intel 18A,预计2025年初投产,继续强化RibbonFET,还有下一代高NA EUV光刻,与ASML合作。

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Intel决心在半导体工艺上重回领导地位,台积电也面临压力,好消息是他们的2nm工艺Fab20日前获批。

据介绍,Fab20工厂将分为4期厂房逐步动工,前2期厂房预估会在2023年下半年完工并展开装机作业,2024年下半年可望进入量产阶段,2nm工艺4期厂房全部完工量产要到2025~2026年,总月产能将逾10万片规模。

台积电的2nm工艺虽然没有详细规格流出,但也会上GAA晶体管,台积电为此开发了新的nanosheet纳米片技术,可以更好地控制阈值电压(Vt),波动降低至少15%,将大大改善芯片设计、性能。

除了Intel、台积电之外,三星的3nm工艺工艺也会在2024年左右量产,尽管3nm跟2nm工艺还差了一代,但三星是首个进入GAA晶体管工艺的厂商,依然不容小觑,这三大半导体巨头将在2024年有一场恶战,GAA技术表现如何,三家厂商的表现让人关心。

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