功耗直接砍半 三星 :3nm GAA 工艺研发进度领先台积电

2021年08月26日 16:22 次阅读 稿源:快科技 条评论

虽然目前来看,下一代芯片普遍依然采用 5nm 工艺打造,但是厂商却一直在耗费巨资开发 3nm 工艺,其中台积电就表示将要在明年量产 3nm 工艺。不过,消息称台积电依然选择 FinFET 晶体管技术,三星则选择了 GAA 技术,并且还成功流片,距离实现量产更近了一步。

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据韩媒 Business Korea 最新报道,三星电子装置解决方案事业部门技术长 Jeong Eun-seung 在 8 月 25 日的一场网络技术论坛中透露,三星能够抢在主要竞争者台积电之前,宣布 GAA 技术商业化。

他直言:“我们开发中的 GAA 技术,领先主要竞争者台积电。一旦巩固这项技术,我们的晶圆代工事业将可更加成长。”

据悉 ,GAA 是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET, 多桥-通道场效应管),该技术可以显着增强晶体管性能,主要取代 FinFET 晶体管技术。

根据三星的说法,与 5nm 制造工艺相比 ,3nm GAA 技术的逻辑面积效率提高了 35% 以上,功耗降低了 50%, 性能提高了约 30%。

三星早在 2019 年就公布了 3nm GAA 工艺的 PDK 物理设计套件标准,当时三星预计 3nm GAA 工艺会在 2020 年底试产 ,2021 年量产,但现在显然不能实现这个计划了。

需要注意的是,有消息称三星 3nm GAA 工艺如果拖到 2024 年量产,将会直接与台积电 2nm 竞争,到时候鹿死谁手还犹未可知。

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