业内称三星3nm GAA存在漏电等关键技术问题

2021年08月29日 22:48 次阅读 稿源:集微网 条评论

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据业内人士透露,三星电子的3nm GAA工艺目前仍面临着漏电等关键技术问题,消息人士称,该工艺在性能和成本方面可能也不如台积电的3nm FinFET工艺。据《电子时报》报道,上述人士表示,三星可能最早于2022年将其3nm GAA工艺量产。

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但由于成本高和性能不理想,可能无法吸引到台积电3nm FinFET工艺所获得的客户,后者据称已经获得了苹果英特尔的订单。

台积电有望在2022年下半年将其3nm FinFET工艺推向量产,CEO魏哲家在最近的财报会议上表示,“N3将是我们N5的另一个全面扩展,并将采用FinFET晶体管结构,为我们的客户提供最佳的技术成熟度、性能和成本。”

在失去苹果iPhone处理器订单后,三星在尖端芯片竞争中落后于台积电。据市场观察人士称,从苹果手中夺回订单将是这家韩国供应商赢得3nm竞争的关键。

(校对/乐川)

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