台积电官方路线图:3nm明年量产、2nm 2025年再见

这两年,台积电、三星在先进工艺上你追我赶,下一步比拼的就是3nm、2nm。三星此前已经宣布,3nm 3GAE低功耗版2022年初量产,3nm 3GAP高性能版2023年初量产,2nm 2GAP 2025年量产。台积电CEO魏哲家最新公开表示,台积电3nm N3将在今年内风险性试产,2022年下半年大规模量产,2023年第一季度获得实际收入。

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台积电N3 3nm工艺将是N5 5nm之后的全新节点,号称经过密度可增加70%,同等功耗下性能可提升10-15%,同等性能下功耗可降低25-30%,并且使用更多层的EUV光刻(不低于N5 14层),因此更加复杂化,整个工艺流程的工序超过1000道。

N3还会衍生出一个N3E版本,可以视为增强版,有更好的性能、功耗、良品率,同时设计和IP上完全兼容N3,2024年量产。

台积电的N2 2nm工艺一直比较神秘,官方此前只是确认会考虑使用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管),但从未明确是否真的上马。

按照魏哲家的最新说法,N2工艺将在2025年量产,并强调无论集成密度还是性能都是业内最好的,但未给出具体指标。

之前预计台积电2nm 2024年就能量产,结果现在节奏也放缓了,和三星基本同步,就看谁的表现更好了,当然还有高昂的成本问题。

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