富士通推出全新8Mbit FRAM 保证写入耐久度达100万亿次

2021年11月17日 17:29 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

富士通半导体解决方案有限公司推出了带有并行接口的新型8Mbit FRAM MB85R8M2TA,这是富士通FRAM产品系列中第一个保证100万亿次读/写周期的产品,目前已提供评估样品。与富士通的传统产品相比,新产品既实现了高速运行,读写速度提高了约30%,又实现了低功耗,工作电流降低了10%。这种存储器IC是需要高速运行的工业机器中SRAM的理想替代品。

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FRAM是一种非易失性存储器产品,具有高读/写持久性、快速写入速度操作和低功耗的优越性,它已经生产了20多年。富士通从2018年6月开始提供带有并行接口的8 Mbit FRAM MB85R8M2T。在推广该产品的同时,公司听到了客户要求的声音,如保证10万亿次以上的写入耐久性、与SRAM一样的操作速度以及与SRAM兼容的TSOP封装。富士通现在宣布推出的8兆比特FRAM产品满足这些要求,并保持FRAM独特的低能耗特性。

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MB85R8M2TA具有与SRAM兼容的并行接口,可在1.8V至3.6V的宽广电源电压范围内工作,是富士通FRAM产品系列中第一个保证100万亿次读写周期的产品。

由于能够在快速页面模式下以25ns时延运行,新FRAM的访问速度在连续数据传输时与SRAM一样高。与富士通的传统FRAM产品相比,它不仅实现了更高的运行速度,而且降低了功耗。这种FRAM的最大写入电流为18mA,比目前的产品低10%,最大待机电流为150µA,低50%。它采用44针TSOP封装,与富士通的4Mbit FRAM采用相同的封装形式,此外还可选48针FBGA封装。

新的8Mbit FRAM给客户带来的好处是,在某些情况下可以省去SRAM所需的数据备份电池。富士通的FRAM产品可以解决因用非易失性存储器取代SRAM而产生的种种问题,例如不再需要改变接口设计和PCB设计的额外工作,解决了SRAM写入速度慢以及耐久度差的问题。

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富士通半导体存储器解决方案表示将继续开发低功耗的FRAM产品。随着功耗的降低,它的目标是减少二氧化碳排放,以减少温室气体,在继续满足市场和客户的需求的同时开发环保型内存产品。

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