三星计划2025年量产2nm工艺:基于MBCFET、与IBM 2nm不同

2021年12月08日 15:09 次阅读 稿源:快科技 条评论

在先进半导体工艺上,台积电目前是无可争议的老大,Q3季度占据全然53%的晶圆代工份额,三星位列第二,但份额只有台积电的1/3,所以三星押注了下一代工艺,包括3nm及未来的2nm工艺。根据三星的计划,3nm工艺会放弃FinFET晶体管技术,转向GAA环绕栅极,3nm工艺上分为两个版本,其中3GAE(低功耗版)将在2022年年初投入量产,3GAP(高性能版)则会在2023年年初批量生产。

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对比5nm,三星新的3nm GAA可以让面积缩小35%,同功耗下性能提高30%,同性能下功耗降低50%。

再往后就是2nm工艺,三星高管日前再次表态2nm工艺会在2025年量产。

不过具体的工艺指标还没公布,只知道还是GAA晶体管,跟3nm一样基于MBCFET(多桥沟道FET)技术,这是一种纳米片晶体管,可以垂直堆叠,而且兼容现在的CMOS工艺,共享设备与制造方法,降低了新技术的升级成本。

三星的2nm工艺是一大进步,创新亮点不少,而且跟现在已有的2nm技术不同——此前IBM全球首发了2nm芯片,指甲盖大小的面积就可以集成500亿晶体管,相比7nm工艺提升了45%的性能或者减少75%的功耗,预计2024年量产。

三星也参与了IBM的2nm技术,然而自己量产的2nm技术跟IBM的2nm并不一样,后者需要新的生产方法,三星还会依赖自家研发的2nm技术。

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