Intel芯片厂产能将提升30% 五年后首发18A工艺及下代EUV光刻机

2021年12月27日 08:59 次阅读 稿源:快科技 条评论

今年3月份Intel新任CEO基辛格宣布了全新的IDM 2.0战略,此后Intel开始了大规模的工厂扩建计划,在美国、欧洲、亚洲等地区都会建晶圆制造及封测工厂,未来五年内产能提升30%,而且新工艺频发。

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今年9月份,Intel已经在亚利桑那州动工建设新的晶圆厂,投资高达200亿美元,两座工厂分别会命名为Fab 52、Fab 62,并首次透露这些工厂将会在2024年量产20A工艺——这与之前预期的不同,原本以为会量产的是Intel 4这样的下两代工艺。

在欧洲,Intel之前宣布了未来十年内有望投资1000亿美元的庞大计划,目前除了扩建爱尔兰的晶圆厂之外,还有望在德国建设新的晶圆厂,在意大利建设新的封测厂,只不过现在还没有正式公布,要到明年初才能决定。

前不久Intel还宣布在马来西亚投资71亿美元扩建封测厂,这里是Intel的芯片封测基地。

业界估计,Intel此番大举扩张,预计在5年内,也就是2026年的时候产能将增长30%以上,有望追赶台积电。

除了产能提升之外,Intel的芯片工艺也会突飞猛进,从今年底的12代酷睿使用的Intel 7工艺开始,到2025年的四年里升级五代工艺——分别是Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A,其中前面三代工艺还是基于FinFET晶体管的,从Intel 4开始全面拥抱EUV光刻工艺。

至于后面的两代工艺,20A首次进入埃米级时代,放弃FinFET晶体管,拥有两项革命性技术,RibbonFET就是类似三星的GAA环绕栅极晶体管,PoerVia则首创取消晶圆前侧的供电走线,改用后置供电,也可以优化信号传输。

20A工艺在2024年量产,2025年则会量产改进型的18A工艺,这次会首发下一代EUV光刻机,NA数值孔径会从现在的0.33提升到0.55以上。

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