台积电:2nm芯片将于2025年投产 首次使用GAA技术

2022年04月18日 08:48 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

第一季度财报电话会议上,台积电报告称正全力以赴地开发下一代工艺节点。这家半导体巨头计划在今年晚些时候将投产首批 3 纳米工艺,并在 2025 年底前做好 2 纳米工艺的准备。

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在本次电话会议上,高盛公司的分析师 Bruce Lee 向台积电首席执行官魏哲家(C.C. Wei)询问了 2 个问题。第 1 个问题是关于通货膨胀和整个经济,魏哲家回答说,台积电作为全球领先的代工企业,有能力应对市场的波动。

第 2 个问题则是询问了 2 纳米节点的时间表。魏哲家表示:“我们的 N2 开发正在进行中。......我们有信心,N2将继续保持我们的技术领先地位,支持客户的增长。而且我们仍然计划在2025年投产。预生产将在 2024 年开始”。

据悉,在 N2 上台积电首次使用 GAA FET(全环绕栅极晶体管),逐渐取代 finFET (鳍式场效应晶体管)。三星已经开始使用他们版本的GAA,英特尔计划在2024年实施他们的版本。一位分析师向魏哲家询问此事,但他避而不答。

今年下半年,台积电将把N3工艺投入生产。一年后,或者可能更早,它将准备将N3E工艺投入生产,这是N3的"增强性能、功率和产量"版本。

台积电预测,HPC(高性能计算)将是其今年增长最快的领域。上一季度HPC产生了41%的收入,仅比智能手机产生的40%略高。物联网和汽车排在第三和第四位,分别创造了8%和5%的收入。

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