外媒称三星3nm工艺良品率仍远不及预期 仅10%-20%

2022年04月18日 17:06 次阅读 稿源:TechWeb 条评论

据国外媒体报道,在2月份有报道称台积电的3nm工艺遇到良品率难题,可能影响到AMD、英伟达等部分客户的产品路线图之后,又出现了三星电子3nm工艺的良品率远不及预期的消息。韩国媒体的报道显示,三星电子3nm制程工艺的良品率,才到10%-20%,远不及公司期望的目标,在提升3nm工艺的良品率方面,也陷入了挣扎。

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资料图(三星与 IBM 合作研发 3nm GAAFET 晶体管工艺)

三星电子和台积电是目前已顺利量产5nm工艺,并在推进3nm工艺量产事宜的晶圆代工商,与台积电继续采用鳍式场效应晶体管(FinFET)架构不同,三星电子3nm工艺采用的是全环绕栅极晶体管(GAA)技术。

在全球晶圆代工市场份额连续多年远不及台积电的三星电子,对他们的3nm制程工艺寄予厚望。在去年6月份就曾有报道称,三星电子的3nm工艺已成功流片,距离量产又更近了一步,计划在今年6月份开始量产。

不过,三星电子3nm工艺的良品率远不及预期,还只是外媒的报道,并不是三星方面公布的消息。但如果三星电子3nm工艺的良品率,真如外媒报道的那样远低于目标,可能也会影响到最终的交付量,进而影响相关厂商的产品路线图。

值得注意的是,在今年2月份曾有报道称,三星重要客户高通明年将推出的3nm工艺应用处理器,将交由台积电代工,同时由于4nm工艺的良品率低,高通也已将部分骁龙8 Gen 1交由台积电代工,不再由三星电子独家代工。

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