三星3nm芯片有望在第二季度开始量产

三星周四表示,它有望在本季度(即未来几周)开始使用其3GAE(3nm级栅极全方位早期)制造工艺大批量生产芯片。这一宣布不仅标志着业界首个3nm级的制造技术,而且也是第一个使用栅极全包围场效应晶体管(GAAFET)的节点。

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三星通过世界上首次大规模的GAA 3nm工艺,加强其技术领导地位。 三星代工的3GAE工艺技术是该公司第一个使用GAA晶体管的工艺,三星官方称之为多桥通道场效应晶体管(MBCFETs)。


三星大约在三年前正式推出了其3GAE和3GAP节点。当该公司描述其使用3GAE技术生产256Mb GAAFET SRAM芯片时,它提出了一系列的要求。三星表示,该工艺将使性能提高30%,功耗降低50%,晶体管密度提高80%。不过,对三星来说,性能和功耗的实际组合将如何发挥,还有待观察。


从理论上讲,与目前使用的FinFET相比,GAAFET有许多优势。在GAA晶体管中,通道是水平的,被栅极所包围。GAA通道是利用外延和选择性材料去除形成的,这使得设计者可以通过调整晶体管通道的宽度来精确地调整它们。通过更宽的通道获得高性能,通过更窄的通道获得低功率。这样的精度大大降低了晶体管的漏电电流以及晶体管的性能变化,这意味着更快的投产时间、上市时间和提高产量。


另外,根据应用材料公司最近的一份报告,GAAFET有望减少20%-30%的电池面积。三星的3GAE,作为一种"早期"的3nm级制造技术,3GAE将主要被三星LSI(三星的芯片开发部门)和两三个高级客户使用。考虑到三星LSI和早期客户倾向大批量制造芯片,预计3GAE技术将得到相当广泛的使用,前提是这些产品的产量和性能达到预期。

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