功耗降低50% 三星3nm工艺良率改善中

最近一段时间,三星的新工艺负面新闻不断,之前有传闻称良率只有35%,吓跑了NVIDIA及高通等客户,不过三星一直否认,现在又有报道称3nm工艺已经量产,最关键的良率也在改善中。这个喜讯是三星管理层向董事会报告的,显示了三星对3nm工艺的信心,表示良率已经改善,但是现在依然没有具体的细节泄露出来了。

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此前的三星公布了2022年Q1季度财报会议,三星官方也否认了传闻中的良率不行的传闻。

三星表示,5nm工艺已经进入成熟阶段,还在扩大服务,4nm工艺虽然良率提升过程出现了延迟,但已经进入了预定的良率曲线,未来的3nm工艺还在准备设立一条新的研发生产线。

对三星来说,3nm节点是他们押注芯片工艺赶超台积电的关键,因为台积电的3nm工艺不会上下一代的GAA晶体管技术,三星的3nm节点就会启用GAA技术,这是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

根据三星的说法,与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%,纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。

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