三星本周将向美国总统拜登展示其下一代3纳米芯片技术

2022年05月20日 04:19 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

据报道,三星本周将向美国总统拜登展示其下一代3纳米芯片技术,这种3纳米GAA工艺有望很快开始量产。美国总统拜登将在本周向访问三星平泽园区。

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三星可能旨在说服拜登,让美国公司向其3纳米GAA工艺下订单。据报道,美国总统拜登将抵达首尔进行为期三天的访问,据韩联社报道,这次访问将包括参观三星的平泽工厂,该工厂也是世界上最大的芯片代工工厂,位于首尔以南约70公里处。除拜登外,据说三星副董事长李在镕也将陪同他参观,以展示下一代大规模生产过程。3nm-GAA-2.jpg
几个月来,据报道,三星将开始大规模生产其3纳米Gate-All-Around(GAA)技术,超过其4纳米节点,该节点用于大规模生产高通的骁龙8代。 三星将向拜登展示一款3纳米的芯片,以强调其代工能力超过台湾的台积电。

与三星的5纳米工艺相比,3纳米GAA的优势是巨大的,该公司表示,它可以使尺寸减少多达35%,同时提供30%的性能和50%的功率节省。这种3纳米GAA工艺很可能是为了对付台积电的3纳米节点,长期以来,这家台湾制造商一直是全球代工市场上的主导厂商。

根据TrendForce提出的统计数据,台积电在2021年第四季度占据了全球代工市场的52.1%,而排在第二位的三星在同一时期仅有18.3%的市场份额,严重落后。此前的一份报告提到,这家韩国制造商在其3纳米GAA工艺上陷入困境,因为据说良品率比其4纳米技术更差。

如果三星无法提高这些良率,同时也无法证明其3纳米GAA工艺可以与台积电的3纳米晶圆相媲美,它可能无法获得高通等公司的订单。预计三星将很快让其先进的芯片技术大规模投产,因此我们将看到它在与台积电的竞争中的表现。

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