功耗降低50% 三星3nm芯片全球首秀:抢先台积电量产

2022年05月21日 18:49 次阅读 稿源:快科技 条评论

三星之前制定计划在2030年成为全球最先进的半导体制造公司之一,3nm节点是他们的一个杀手锏,之前一直被良率不行等负面传闻困扰,日前三星公司终于亮出首个3nm晶圆,按计划将在今年Q2季度量产,比台积电还要早一些。

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日前美国总统参观了三星位于平泽市附近的芯片工厂,这里是目前全球唯一一个可以量产3nm工艺的晶圆厂,三星首次公开了3nm工艺制造的12英寸晶圆,不过具体是哪款芯片还不得而知。

对三星来说,3nm节点是他们押注芯片工艺赶超台积电的关键,因为台积电的3nm工艺不会上下一代的GAA晶体管技术,三星的3nm节点就会启用GAA技术,这是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

根据三星的说法,与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%,纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。

根据三星之前的表态,3nm工艺将在2022年Q2季度量产,这个进度相比台积电的3nm工艺还要激进,后者今年下半年也只能小规模试产,明年才会大规模量产3nm工艺。

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