美光工厂今年将上1-gamma工艺节点 为部署EUV光刻技术做准备

2022年05月31日 14:41 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

根据美光在 Computex 大会上的演讲,三家设在台中的工厂之一将在今年晚些时候升级 EUV 光刻技术,从而为 DRAM 升级到 1-gamma 工艺节点做准备。1-gamma 在上线初期只是研发节点,以帮助该公司为更广泛地推广 EUV 技术做准备。

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目前美光的 DRAM 主要是基于 1-alpha 节点,而公司希望明年在中国台湾的工厂将 1-beta 节点转为批量生产。美光目前的 1-alpha 节点是基于 DUV 技术的,并在去年推出,该公司声称其内存密度比之前的 1Z 节点提高了 40%。

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美光公司不再提及其常用的纳米测量法的芯片尺寸,但据说其 1Z 节点约为11至13纳米,因此,如果其 1-alpha 节点尚未低于 10 纳米,那么 1-beta 节点最终很可能会低于 10 纳米。

美光的长期路线图还包括1-delta节点,这本来是它的第一个EUV产品,但现在似乎已经提前到了1-gamma节点。美光很可能会在适当的时候将其其他工厂转移到EUV,但到目前为止,与大多数其他类型的集成电路相比,DRAM还没有从节点收缩中受益,所以 EUV 可能带来的收益让我们拭目以待。

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