三星研发HBM3内存 带宽轻松突破1024GB/s

2022年06月01日 19:21 次阅读 稿源:快科技 条评论

AMD及Intel的新一代平台已经支持了DDR5内存,双通道的带宽轻松超过50GB/s,高频版的逐渐逼近100GB/s,然而这个性能跟HBM3内存比起来还是小巫见大巫,三星已经研发了新的HBM3内存,带宽轻松超过1024GB/s。

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JEDEC组织今年初发布了HBM3的标准,继续在存储密度、带宽、通道、可靠性、能效等各个层面进行扩充升级,其中传输数据率在HBM2基础上再次翻番,每个针脚(pin)的传输率为6.4Gbps,配合1024-bit位宽,单颗最高带宽可达819GB/s。

三星研发的新一代HBM3内存阵脚速率更高,达到了8Gbps/pin,堆栈4颗的情况下带宽轻松达到1024GB/s,是DDR5内存的十几倍。

另外,频率越高的话出错也更多,为此三星还有更强的内存纠错功能,每个HBM内存芯片都内置了1组ECC纠错电路,确保数据准确性。

三星的HBM3内存没有公布何时上市,不过真要应用的话应该也会首先用于数据中心显卡及处理器上,消费级平台使用的可能性不大,毕竟HBM3的成本是普通用户无法承受的。

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