铠侠研发7bit/cell闪存 可零下200度低温运行

2022年06月15日 15:44 次阅读 稿源:快科技 条评论

对于NAND闪存,大家都知道SLC、MLC往后的TLC、QLC闪存存在性能越来越低、错误率越来越高的问题,但是容量更大,所以闪存厂商一直在研发更多的闪存,铠侠的研究已经到了7bit/cell级别,需要在零下200度的低温环境下才能试验。

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对于MLC闪存,有必要先说一些基础知识,实际上SLC之后的都应该算作MLC闪存,闪存的类型是按照cell单元存储的电荷位数来判定的,大家所说的MLC实际上是2bit/cell闪存,TLC是3bit/cell,QLC则是4bit/cell,在下面的是PLC闪存,5bit/cell。

铠侠等闪存巨头的研究更深入,去年铠侠就公布过6bit/cell闪存的研究,也就是HLC闪存,今年的IMW 2022会议上,铠侠又公布了7bit/cell闪存的研究成果。

不过7bit/cell闪存现在还没正式命名,倒是再下一代的8bit/cell的名字有了,叫做OLC闪存。

跟之前的6bit/cell闪存一样,7bit/cell闪存也是在77K温度,也就是液氮环境中做测试的,大约是零下200度,这样做是为了降低数据读取时的干扰。

根据铠侠的研究,在7bit/cell闪存中,沟道材料从之前的多晶硅换成了单晶硅,电阻更低,漏电流减少了,写入及读取操作时的阈值电压波动可以最小化。

要知道7bit/cell闪存意味着有128级电压变化,因此7bit/cell闪存写入时控制电压的难度大幅提升,稍有波动就有可能导致更多的错误,这也是闪存类型越升级,性能及可靠性越差的原因。

铠侠没有公布7bit/cell闪存的具体性能,毕竟现在是零下200度的测试,没有实际使用的意义,但是大家对7bit/cell闪存的性能就不要有什么指望,QLC闪存的原始速度都跌入100MB/s以内了,7bit/cell闪存还要再渣几倍,性能就别想了。

以后7bit/cell闪存的SSD硬盘就算是问世了,估计也只会用于读取居多的场景,不适合频繁写入的需求。

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