台积电2nm工艺实际表现提升有限 三星2025年赶超机会有望到来

2022年06月21日 09:14 次阅读 稿源:快科技 条评论

前几天的技术论坛上,全球第一大晶圆代工厂台积电公布了芯片工艺路线图,其中3nm工艺就有5种之多,2025年将推出2nm工艺,用上GAA晶体管技术。根据台积电的说法,相比3nm工艺,在相同功耗下,2nm速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%。

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虽然这些指标看着不错,但是2nm工艺的密度提升挤牙膏了,仅提升了10%,远远达不到摩尔定律密度翻倍的要求,比之前台积电新工艺至少70%的密度提升也差远了。

2nm工艺的难度显然成了一个挑战,这让台积电未来的密度提升越来越难,不过对竞争对手来说,台积电这次的挤牙膏让他们窃喜,有了追赶的机会。

不仅Intel的20A/18A工艺会在2024-2025年对台积电2nm带来压力,更大的麻烦还有三星,三星使用GAA晶体管比台积电还要激进,3nm工艺上就会使用。

根据三星的计划,3nm GAA工艺预计会在6月份就试验性量产,相比5nm工艺,该工艺的性能提升15%,功耗降低30%,芯片面积减少35%。

三星也将2nm GAA工艺的量产时间定在2025年,跟台积电差不多同步,这也是三星近年来首次的新工艺量产上追上台积电,此前都要慢上1-2年,导致缺乏竞争力。

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