英特尔3D封装新进展 开发FIVR以稳定3D堆叠系统功率

2022年06月21日 10:52 次阅读 稿源:集微网 条评论

英特尔公司在封装设计中开发了一种嵌入式电感的全集成稳压器(Fully Integrated Voltage Regulators,FIVR),用于控制芯片在3D-TSV堆叠系统中的功率。据eeNews报道,电压控制器对于3D封装至关重要,后者将基于工作负载的最优流程节点实现的chiplet封装在一起。这是一种灵活且经济高效的方法,可以创建多种配置,但需要更复杂的电源控制。

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英特尔在俄勒冈州和亚利桑那州的团队使用0.9nH-1.4nH 3D-TSV基于封装嵌入式电感器开发了一种FIVR,其效率比低退出调节器(LDO)高37.6%,在10mA-1A负载范围内实现了平坦的效率,而无需相互通信。

FIVR在基于22nm工艺的裸片上实现,采用三种TSV友好型电感结构,具有多面积与效率的权衡选项。这些很容易并行地构建模块化设计,可以服务于广泛而不同的chiplet。

该设计在最近的VLSI 2022研讨会上进行了讨论。(校对/隐德莱希)

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