三星开始开发DDR6内存:采用MSAP封装技术 速率17000 Mbps

2022年07月16日 19:27 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

几个月前,DDR5内存成为主流,但三星现在已经开始了下一代DDR6内存的早期开发过程。在韩国水原的一次研讨会上,三星负责测试和系统封装(TSP)的副总裁透露,随着未来内存本身性能的扩大,封装技术也需要不断发展。该公司证实,它已经处于下一代DDR6内存的早期开发阶段,将采用MSAP技术。

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根据三星的说法,MSAP已经被其竞争对手(SK海力士和美光)用于DDR5。那么,MSAP有什么新特点呢?MSAP修正后的半加成工艺允许DRAM制造商创建具有更精细电路的内存模块。这是通过在以前未被触及的空位上涂抹电路图案来实现的,这样可以实现更好的连接和更快的传输速度。下一代DDR6内存不仅将利用MSAP来加强电路连接,而且还将适应DDR6内存中增加的层数。

以前的帐篷法只能在圆形铜板上形成电路图案的区域进行涂层,而其他区域则被蚀刻掉。但在MSAP中,电路以外的区域都被镀上了一层,这样就可以形成更精细的电路。副总裁Ko说,随着存储芯片的容量和数据处理速度的提高,必须设计出适合这种情况的封装。随着层数的增加和工艺的复杂化,内存封装市场也将呈指数级增长。

在扇出(另一种封装技术,即把I/O终端放在芯片外面,让芯片变得更小,同时保留球状布局)型封装方面,三星正在应用扇出-晶圆级封装(FO-WLP)和扇出-面板级封装(FO-LP)。

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三星预计其DDR6设计将在2024年之前完成,但预计2025年之后才会有商业使用的可能。就规格而言,DDR6内存的速度将是现有DDR5内存的两倍,传输速度可达12800 Mbps(JEDEC),超频后的速度可超过17000 Mbps。目前,三星最快的DDR5 DIMM的传输速度为7200 Mbps,在JEDEC标准下提高了1.7倍,在下一代内存芯片的超频速度下提高了2.36倍。

除了介绍新技术外,内存制造商强调了在未来我们可以看到DDR5-12600规格产品的出现,DDR5也有潜力继续用于消费平台。预计今年晚些时候,随着AMD的Zen 4和英特尔的Raptor Lake CPU平台的推出,DDR5内存模块的速度会更快,调整的幅度也更大。

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