美光全球首发232层TLC闪存:性能翻倍、密度最高

2022年07月26日 22:09 次阅读 稿源:快科技 条评论

2021年全球首发176层堆栈的3D闪存之后,美光今天有全球首发了232层堆栈的TLC闪存,这是全然首个超过200层的闪存,也是业界密度最高的,接口速度提升到2.4GB/s,写入速度提升100%。

美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer表示232层闪存是存储芯片创新的分水岭,首次证明了3D闪存有扩展到200层以上的能力。

Micron 232L NAND_wafer_black_678x452.jpg

指标方面,美光表示其232层TLC闪存引入了业内最快的IO速度,可达2.4GB/s,比上代的176层闪存高出50%,同时写入带宽提升100%,读取带宽提升75%。

美光的232层闪存还是全球首个六平面TLC闪存,在TLC闪存中平面最多,而且每个平面都可以独立读取,高IO速度、低延迟及六平面结构相结合使得232层闪存可以提供一流的数据传输能力。

Micron-232L-NAND_tower_black_reframe_575px.jpg

此外,美光的232层闪存还是首款支持NV-LPDDR4,后者是一种低压接口,相比之前的IO接口,每比特的能效提升30%以上。

图片.png

其他方面,美光的232层TLC闪存还是有史以来密度最高的,达到了14.6Gb/mm2,比当前的TLC闪存高出35-100%,而232层闪存使用了11.5x13.5mm封装,尺寸比前代产品小了28%,是市面上最小面积的高密度闪存,可以减少对电路板空间的占用。

Micron 232L NAND infographic_575px.jpg

目前美光的232层闪存已经在新加披工厂量产,最初会由美光旗下的英睿达品牌推出消费级SSD,后续再公告其他产品。

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