SK海力士拟年内试产238层NAND闪存

2022年07月28日 21:45 次阅读 稿源:集微网 条评论

SK海力士在近日举行的二季度财报电话会议上透露,计划在年内完成238层NAND试产,并在2023年上半年实现量产。针对美光近期量产232层NAND的动态,海力士方面表示各家厂商产品发布节奏不同,存储市场目前应专注于提高盈利能力,海力士的目标是实现行业最高水平的盈利能力。

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公司方面还表示,计划今年年底实现主力产品176层4D NAND以晶圆形式出货占比70%,以进一步提升毛利率。

针对DRAM市场行情,海力士方面表示,尽管目前DRAM的平均售价(ASP)走低,但成本下降足以弥补ASP变化,公司方面预计今年DRAM出货量将增加约10%,NAND闪存出货量增加20%。

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