SK海力士基于UFS 4.0规范的238层V8 NAND最早明年上半年量产

2022年08月16日 19:20 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

SK海力士将把目前最高的238层NAND(V8)应用于新一代内置闪存UFS(通用闪存)的最新规格产品,预计最早明年上半年可以量产。UFS是应用国际半导体标准化机构JEDEC的内置存储器接口的闪存,这是为智能手机、平板电脑等移动家电而制定的新一代标准,与传统的MMC(多媒体卡)相比,数据处理速度和电源效率要高得多。

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UFS 4.0 是今年 5 月正式批准的最新标准,其数据传输带宽为 23.2 Gbps,是之前 UFS 3.1 的两倍。

最先提出UFS 4.0内存开发和量产计划的企业是三星电子。三星电子将于5月在世界上首次开发UFS 4.0内存,从本月开始正式投入量产。三星电子的UFS 4.0内存搭载了自主开发的UFS 4.0控制器和第七代176层NAND(V7),连续读取和连续写入速度分别为4200MB/s、2800MB/s。封装水规格为长11毫米、宽13 毫米,高1.0 毫米。

SK海力士也制定了UFS 4.0内存的具体开发计划。SK海力士将在UFS 4.0内存上搭载V7和V8 NAND作为主力。其中,V8是SK海力士在世界上首次开发的目前最高238层NAND,与前几代176层相比,传输速度更加出色。与传统的封装相比,TLC 4D封装技术在减少单位单元面积的同时,生产效率更高也是主要特点。

SK海力士正在开发的UFS 4.0内存的数据处理速度是连续读取4000MB/s,连续写入2800MB/s水平。外形为宽11毫米、长13毫米、高0.8毫米,是一种非常薄的封装形式。

目前,SK海力士已经向主要客户公司提供了238层NAND样品,计划明年上半年进行量产。因此,搭载V8 NAND的UFS 4.0内存最早也有望从明年上半年开始量产。

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