东芯半导体:19nm闪存完成首轮流片 暂时不做3D闪存

2022年08月19日 20:53 次阅读 稿源:快科技 条评论

说到国产NAND闪存,大家肯定第一个想到长江存储,但在这一行业努力的还有很多家。8月19日,东芯半导体在回答投资者提问时透露,该公司采用19nm先进工艺的NAND Flash闪存产品已完成了首轮流片,目前正在产品调试的过程中。

东芯称,公司在更新工艺方面不断钻研,从38nm、24nm再到正在开发的19nm的工艺,通过更新工艺来为客户带来更具性价比、更高容量的产品。

对于是否会进军3D NAND闪存,东芯回应称,目前聚焦于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,暂不涉及3D NAND业务。

另外,车规级存储器产品对各项指标都有更高的要求,因此认证、导入时间较长,目前相关产品正在积极研发和导入过程中。


公开资料显示,东芯半导体股份有限公司(DoSilicon)成立于2014年,总部位于上海,在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司,致力于成为领先的存储芯片设计公司,服务全球客户。

作为Fabless芯片企业,东芯半导体拥有独立自主的知识产权,聚焦于中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售,是目前国内少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。


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