Hynix东芝宣布将联合开发STT-MRAM技术

2011年07月14日 00:26 次阅读 稿源: 条评论
韩国Hynix与日本东芝公司近日宣布两家公司将共同开发STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋转移矩磁阻RAM)技术,两家公司均认为这项技术是非常重要的下一代非易失性存储技术之一。一旦有关的技术研发完成之后,两家公司计划成立一 家专门生产STT-MRAM的芯片制造公司。另外,作为这次合作战略的其它部分,两家公司还将扩大专利交叉授权的范围。

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据两家公司的联合声明称,MRAM是一种非易失性存储技术,它具备速度极快和耗电量低的优点。预计STT-MRAM芯片初期的用途将包括对耗电量要求很高的移动设备。

不过两家公司并没有透露其STT-MRAM芯片产量规划,以及何时开始商业化生产的计划等。

目前已经有多家半导体厂商在生产MRAM芯片产品,其中包括Everspin,Grandis,Crocus等。不过这次两大存储业界巨头的联手则令MRAM市场大有风云突变之势。目前市场上存储密度最高的MRAM芯片其密度为16Mbit左右,相比之下,采用20nm级别制程制造的NAND芯片目前则已经达到64Gbit的存储密度水平,两者的密度差距甚大。不过研发MRAM的厂商都公认MRAM具备更好的存储密度拓展空间和信息保存能力。

最近有报道称东芝认为其新近开发的垂直磁隧道结器件可作为制造Gbit密度级别ATT-MRAM的基本构件,东芝认为这种产品在3-4年内可望实现商业化。Hynix与东芝表示双方正在整合有关的资源和技术,以降低MRAM商业化的风险,加快将产品推向商业化的步调。

CNBeta编译
原文:eetimes

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