延迟和错误率令SSD前景蒙上阴影

2012年02月20日 13:05 次阅读 稿源: 条评论

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加州大学和微软的研究发现,随着芯片尺寸缩小,NAND Flash记忆体会出现显著的性能退化。当电路尺寸从今天的25nm缩小到6.5nm,SSD的延迟会增加一倍。

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加州大学的研究生Laura Grupp说,他们测试了7家SSD供应商的45种不同类型NAND Flash芯片,这些芯片采用了72nm到25nm的光刻工艺,发现芯片尺寸缩小伴随着性能退化和错误率增加。TLC (三层存储单元)NAND的性能最差,之后是MLC(双层存储单元)NAND和SLC(单层存储单元)NAND。研究人员说,由于性能退化,基于MLC NAND的固态硬盘难以超过4TB,基于TLC NAND的固态硬盘难以突破16TB,因此固态硬盘的未来之路可能在2024年到头。

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