[图]传输性能提升2倍 三星宣布成功量产3D“垂直NAND”闪存芯片

三星近日宣布已经成功开始量产3D“垂直NAND”(V-NAND)闪存芯片,突破了现有NAND闪存技术的种种限制。相比较现有NAND所采用的传统平面架构,三星目前采用了在芯片上进行垂直叠加的技术(最高能叠到24层)来实现更高密度的NAND闪存芯片,而不再需要继续进行平面缩放。

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使用V-NAND具备以下几个优点:首先新的芯片在可靠性方面提高了2到10倍,相比较现有10nm制程的闪存内存的能够带来2倍以上的传输性能的提升。而这种多层次的架构体系除了能够带来性能上的提升之外还能进一步减少处理器单元尺寸。

这些V-NAND芯片未来有望装备在消费级别的SSD设备上,或者在不久的将来嵌入到移动终端的内置存储中来。

编译于  sammobile

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