三星开始量产4GB HBM2显存芯片:每瓦特带宽翻倍

2016年01月19日 09:58 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

一周前,JEDEC刚刚更新了“高带宽内存”(HBM)标准,带来了更大的堆栈和更快的速度。该组织前脚刚宣布,三星就立即开始了4GB HBM2显存芯片的量产。该公司称,其采用了20nm制程,以4 x 8Gb的规格封装,可提供256GB/s的带宽。作为对比,TSV 4Gb GDDR5的带宽只有前者的1/7不到。此外,HBM2芯片的“每瓦特带宽”也是三星自家GDDR5显存的2倍以上、此外还内建了对ECC的支持。

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三星还计划于今年发布8GB封装的HBM2显存,而显卡设计者们将享受到95%的空间节省(相对于GDDR5),AMD Radeon R9 Fury X的爱好者们肯定不会感到陌生。

三星将为迎合需求而提升HBM2的产量,且除了显卡市场之外,该公司还希望将之推向高性能计算、网络系统、以及服务器等领域。

[编译自:TechReport , 来源:Samsung]

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