三星称霸全球NAND闪存业 UFS 2.0功不可没

2016年03月08日 18:40 次阅读 稿源:威锋网 条评论

说到半导体储存芯片,全球 NAND 闪存的出货量仅次于 DRAM 内存,而且因为移动设备时代的到来,NAND 的全球出货量开始变得越来越夸张。不过,尽管该技术由日本东芝在八十年代末开始引入,目前正大放异彩,但是韩国三星正推陈出新,以自家的标准来征服 NAND 的出货量市场。

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根据集邦 TrendForce 旗下存储业务研究部门 DRAMeXchange 的最新统计数字显示,2015 年第四季度(10 月至 12 月)三星在半导体储存芯片设计的表现相当可喜可贺。三星以 33.6% 的市场份额成为世界上规模最大的 NAND 储存供应商。而排在第二名的的是东芝,所占市场份额为 18.6%。

很显然,三星的目前的 NAND 储存芯片设计份额很快相当于东芝的两倍,最主要的原因在于三星正不断壮大。有关 2015 年第三季度 DRAMeXchange 数据显示,三星与东芝之间的差距才 10 个百分点左右,其中三星在全球 NAND 市场 的份额为 31.5%,东芝为 20.5%,如今东芝份额缩减反而三星上市,说明差距争议迅猛的速度扩大。

不过,由于移动市场逐渐趋于饱和,整体 NAND 闪存市场全线出现季度性的下滑,但三星的 NAND 业务始终能够成功在智能手机领域保持盈利,令业界相当刮目相看,因为只有为数不多的厂商实现增长。据数据,三星 2015 年第四季度营收环比增长了 4.2%, 除此之外仅闪迪增长了 0.1%,其余营收均出现负增长。

NAND 市场整体营收环比衰退了 2.3%,东芝跌幅最大,达到 11.3%,其实是下滑 9.3% 的 SK 海力士。不出意外的话,随着全新智能手机 Galaxy S7 和 S7 Edge 陆续出货上市,三星的 NAND 删除业务仍会持续走强。

目前三星正力推最新基于 UFS 应用接口标准规格的 NAND 嵌入式闪存储存,最近刚刚发布了第二版 UFS 2.0 嵌入式闪存。根据三星的解释,新 UFS 闪存储存的容量提升了一倍达到 256GB,并且体积更小,比传统 NAND 闪存节省了约 50% 的储存空间,三星表示其比外部 micro SD 卡更小。

更重要的是,得益于常用语 SSD 储存的“命令队列(Command Queue)”技术,即通过串行接口技术加速命令执行,其数据处理速度大幅提升,第二版的 UFS 2.0 闪存的持续读取速度已经提升到了惊人的 850MB/s,这方面已经完全超越了传统 SATA 接口的固态硬盘。

另外在写入速度方面,三星第二版 UFS 2.0 256GB 闪存的持续写入速度也达到了 260MB/S,这个速度相当于普通外置 microSD 卡大约三倍,同时随机读取和写入读/写操作 IOPS 上升到了 45000 和 40000。

三星表示,目前众多制造商的智能手机和平板电脑产品都已经采用了基于 USB 3.0 接口标准来设计,若搭配第二版 UFS 2.0 闪存的话,可以在 12 秒钟内完成一部 5GB 容量大小的视频,未来在移动设备上轻松观看真 4K Ultra HD 超高清电视和视频不是问题,而且还可以同时处理其他多任务。

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