三星成为全球首家量产10nm级内存的公司

2016年04月05日 16:53 次阅读 稿源:快科技 条评论

三星电子今天宣布,已经在全球范围内第一家实现了10nm级别工艺DDR4 DRAM内存颗粒的量产,也是继2014年首个量产20nm DDR3内存颗粒后的又一壮举。三星没有披露新工艺的具体数字,只是模糊地称之为10nm级别或者1xnm,而根据韩国媒体此前报道,三星用的是18nm,继续领先SK海力士、美光等对手。

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三星表示,新工艺克服了DRAM行业中的大量技术挑战,包括独有的单元设计技术、四重曝光技术(QPT)、超薄介质层沉积技术等等,而且依然使用了已有的氟化氩沉浸式光刻工艺,并未启用昂贵且不成熟的EUV极紫外光刻。

新的1xnm DDR4内存颗粒单颗容量8Gb(1GB),频率高达3200MHz,相比于20nm工艺下的DDR4-2400性能可提升30%,同时同等频率下功耗降低10-20%,PC、主流服务器、大型企业网络、高性能计算系统中都有广阔的前景,单条容量最大可做到128GB。

今年晚些时候,三星还会使用新工艺生产新的移动用DRAM内存颗粒,面向智能手机和平板机领域。

随着新工艺的到来、产能的扩大,以及PC需求的下降、手机需求的增长减缓,内存价格将在今年出现大幅度下滑,下半年至少会降20-30%,最多可达40%。三星18nm加入战局,必然会进一步刺激价格走低。

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