镁光:3D闪存芯片能让手机拥有更多内存容量

2016年08月09日 23:41 次阅读 稿源:威锋网 条评论

近日在加州圣克拉拉举行的闪存峰会(Flash Memory Summit)上,镁光公布了他们的首款 3D NAND 闪存芯片。这种闪存芯片在不改变尺寸的情况下能提供更多的储存空间。据 PCWorld 报道,镁光这款 3D 闪存芯片的容量为 32GB,其目标市场为中高端的智能手机。该产品基于新的 UFS 2.1 标准,市面上的智能手机均未使用这种理论上更快的储存协议。

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镁光认为智能手机对内存容量的需求越来越高,虚拟现实应用和流媒体都将占用大量的储存空间。他们表示,在几年之内智能手机的内存容量可能会达到如今 PC 的水平,具体来说,大概在 2020 年就会触及 1TB。不过,这家公司并未透露自家用于移动设备 3D 闪存芯片的发展路线图。

与传统的 2D NAND 水平排布储存单元不同,3D NAND 使用垂直的方式排布储存单元,这种方式既能拥有更高的容量,又能让芯片间的通讯变快。

3D NAND 闪存芯片技术并非镁光独有,英特尔和三星都已经在 SSD 上应用了这种技术,相关产品的容量只会越来越大。

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